http://www.bsuir.by/m/12_100229_1_65755.pdf стр 20-21
Примем, что ключи VT1 и VT2 противофазно переключаются, как и
должно быть, и что на данном интервале времени VT1 закрыт, VT2 открыт.
Следовательно, оба предмощных каскада – для верхнего ключа №1 и нижнего
ключа №2 запитываются от источника питания ИП почти одинаково: нижний –
21
непосредственно с выхода ИП, а верхний №1 получает питание по цепи: ИП,
бутстрепный диод VD, предмощный каскад №1, открытый транзистор
силового каскада VT2, земля источника питания ИП. Одновременно
заряжается бутстрепный конденсатор С. После закрывания VT2 и открывания
VT1 предмощный каскад №1 отключается от источника питания, теперь он
получает энергию от разряжающегося конденсатора С, диод VD закрыт
высоким напряжением +Е0 и т.д. Т.о. способ пригоден только для импульсных
режимов при достаточно высокой частоте и небольшой мощности на выходе
предмощного каскада №1, как в случае ключей типа MOSFET или IGBT с
изолированными затворами. В случае длительных импульсов или биполярных
транзисторов с большими токами в базовых цепях бутстрепное питание
применять нельзя, т.к. конденсатор С быстро разряжается, транзистор VT1
остается без управления.
Считается, что через бутстрепный диод VD в закрытом состоянии нет
гальванической связи с источником питания ИП, т.е. схема обеспечивает
гальваническую развязку. Насколько она приемлема, судить об этом
потребителю этого способа.
Примем, что ключи VT1 и VT2 противофазно переключаются, как и
должно быть, и что на данном интервале времени VT1 закрыт, VT2 открыт.
Следовательно, оба предмощных каскада – для верхнего ключа №1 и нижнего
ключа №2 запитываются от источника питания ИП почти одинаково: нижний –
21
непосредственно с выхода ИП, а верхний №1 получает питание по цепи: ИП,
бутстрепный диод VD, предмощный каскад №1, открытый транзистор
силового каскада VT2, земля источника питания ИП. Одновременно
заряжается бутстрепный конденсатор С. После закрывания VT2 и открывания
VT1 предмощный каскад №1 отключается от источника питания, теперь он
получает энергию от разряжающегося конденсатора С, диод VD закрыт
высоким напряжением +Е0 и т.д. Т.о. способ пригоден только для импульсных
режимов при достаточно высокой частоте и небольшой мощности на выходе
предмощного каскада №1, как в случае ключей типа MOSFET или IGBT с
изолированными затворами. В случае длительных импульсов или биполярных
транзисторов с большими токами в базовых цепях бутстрепное питание
применять нельзя, т.к. конденсатор С быстро разряжается, транзистор VT1
остается без управления.
Считается, что через бутстрепный диод VD в закрытом состоянии нет
гальванической связи с источником питания ИП, т.е. схема обеспечивает
гальваническую развязку. Насколько она приемлема, судить об этом
потребителю этого способа.
Комментариев нет:
Отправить комментарий