четверг, 31 января 2013 г.
STM32 ссылки DMA, ADC
http://mycontroller.ru/stm32-dma-initsializatsiya/
http://emproj.com/1_5_To_90
http://electronics-archive.ru/stm32-dma-%D0%B2%D0%B2%D0%B5%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5.html
http://eddy-em.livejournal.com/tag/stm32
DMA_Mode – режим работы канала DMA
DMA_Priority – приоритет для канала DMA
DMA_M2M – используем ли передачу память->память
Рассматриваем отдельно то, что касается DMA:
аналогично ) адрес нулевого элемента массива
dma.DMA_DIR = DMA_DIR_PeripheralDST;
шлем в периферию, а не из нее
dma.DMA_BufferSize = DMA_BUFFER_SIZE;
буфер – 16 байт (#define DMA_BUFFER_SIZE 16)
dma.DMA_MemoryDataSize = DMA_MemoryDataSize_Byte;
шлем байтами
Тут все понятно:
USART_Cmd(USART1, ENABLE);
DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE);
Включаем USART и DMA
Тут могла быть ваша программа 
Процессор свободен.
Запускаем программу в отладчике:
Данные пришли туда, куда и требовалось =)
http://emproj.com/1_5_To_90
http://electronics-archive.ru/stm32-dma-%D0%B2%D0%B2%D0%B5%D0%B4%D0%B5%D0%BD%D0%B8%D0%B5.html
http://eddy-em.livejournal.com/tag/stm32
Пришло время рассказать об одной
потрясающей штуке под названием DMA – то есть прямой доступ к памяти
(Direct Memory Access). Поясню что же это такое.
В двух словах – DMA позволяет перемещать
данные без(!) участия центрального процессора. То есть процессор
работает себе преспокойненько, не отвлекается ни на что, а DMA в этот
момент может пересылать огромные массивы данных, например, в UART. Думаю
сразу понятно насколько это полезно, ведь процессору теперь не надо
отвлекаться от основной полезной работы.
А в контроллерах STM32F10x даже не один,
а два контроллера DMA! И, соответственно, у каждого несколько каналов
(у DMA1 – 7, а у DMA2 – 5). Вот как выглядит разделение каналов между
периферийными устройствами:
Я когда то упорно пытался подключить
USART не к тому каналу DMA к которому нужно, и совершенно не втыкал
почему не работает. С тех пор очень люблю эти картинки )
Давайте-ка теперь рассмотрим процесс настройки DMA. Открываем файлы stm32f10x_dma.h и stm32f10x_dma.c из SPL. В первом находим структуру:
typedef struct { uint32_t DMA_PeripheralBaseAddr; uint32_t DMA_MemoryBaseAddr; uint32_t DMA_DIR; uint32_t DMA_BufferSize; uint32_t DMA_PeripheralInc; uint32_t DMA_MemoryInc; uint32_t DMA_PeripheralDataSize; uint32_t DMA_MemoryDataSize; uint32_t DMA_Mode; uint32_t DMA_Priority; uint32_t DMA_M2M; }DMA_InitTypeDef; |
В самом файле все довольно подробно откомментировано, правда, на английском. Итак:
uint32_t DMA_PeripheralBaseAddr – сюда мы должны записать адрес периферийного устройства, которое будет участвовать в обмене информацией
uint32_t DMA_MemoryBaseAddr – а сюда записываем адрес области памяти, где лежат данные (ну или куда их надо положить, в зависимости от направления обмена)
uint32_t DMA_DIR – тут устанавливаем, является ли периферия источником или местом назначения
uint32_t DMA_BufferSize – размер буфера для хранения данных
uint32_t DMA_PeripheralInc,
uint32_t DMA_MemoryInc – тут задаем надо ли инкрементировать указатели на данные в периферии и в памяти соответственно
Остановимся на этом поподробнее. Допустим, мы забираем данные из регистра данных АЦП и пишем их в массив в памяти. Так как мы хотим записывать результат преобразования в разные элементы массива, то необходимо инкрементировать указатель, следовательно DMA_MemoryInc = Enable. В то же время регистр данных АЦП у нас один и он никуда не перемещается, а что это значит? Правильно, uint32_t DMA_PeripheralInc = Disable )
uint32_t DMA_PeripheralBaseAddr – сюда мы должны записать адрес периферийного устройства, которое будет участвовать в обмене информацией
uint32_t DMA_MemoryBaseAddr – а сюда записываем адрес области памяти, где лежат данные (ну или куда их надо положить, в зависимости от направления обмена)
uint32_t DMA_DIR – тут устанавливаем, является ли периферия источником или местом назначения
uint32_t DMA_BufferSize – размер буфера для хранения данных
uint32_t DMA_PeripheralInc,
uint32_t DMA_MemoryInc – тут задаем надо ли инкрементировать указатели на данные в периферии и в памяти соответственно
Остановимся на этом поподробнее. Допустим, мы забираем данные из регистра данных АЦП и пишем их в массив в памяти. Так как мы хотим записывать результат преобразования в разные элементы массива, то необходимо инкрементировать указатель, следовательно DMA_MemoryInc = Enable. В то же время регистр данных АЦП у нас один и он никуда не перемещается, а что это значит? Правильно, uint32_t DMA_PeripheralInc = Disable )
Идем дальше:
DMA_PeripheralDataSize – размер единицы данных в периферии, аналогично – DMA_MemoryDataSize
Возможные значения этих полей:
DMA_PeripheralDataSize – размер единицы данных в периферии, аналогично – DMA_MemoryDataSize
Возможные значения этих полей:
DMA_PeripheralDataSize_Byte DMA_PeripheralDataSize_HalfWord DMA_PeripheralDataSize_Word DMA_MemoryDataSize_Byte DMA_MemoryDataSize_HalfWord DMA_MemoryDataSize_Word |
DMA_Priority – приоритет для канала DMA
DMA_M2M – используем ли передачу память->память
Заполнив эти поля нужным образом можно быстро и легко настроить DMA.
Пришло время немного поиграться ) Будем
писать пример. Давайте объявим массив с данными в памяти и перекинем их с
помощью прямого доступа к памяти в регистр данных USART, откуда они и
вылетят во внешний мир.
/*******************************************************************/ #define BAUDRATE 9600 #define DMA_BUFFER_SIZE 16 /*******************************************************************/ GPIO_InitTypeDef port; ADC_InitTypeDef adc; USART_InitTypeDef usart; uint16_t inputData; uint16_t outputData; DMA_InitTypeDef dma; uint8_t dataBuffer[16] = {'0', '1', '2', '3', '4', '5', '6', '7', '8', '9', 'A', 'B', 'C', 'D', 'E', 'F'}; /*******************************************************************/ |
dataBuffer – массив с данными,
которые надо отправить по USART’у. Не самый информативный набор данных в
этом примере, но для тестирования покатит )
Инициализация:
Инициализация:
RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_USART1, ENABLE); RCC_APB2PeriphClockCmd(RCC_APB2Periph_GPIOA, ENABLE); RCC_AHBPeriphClockCmd(RCC_AHBPeriph_DMA1, ENABLE); DMA_StructInit(&dma); dma.DMA_PeripheralBaseAddr = (uint32_t)&(USART1->DR); dma.DMA_MemoryBaseAddr = (uint32_t)&dataBuffer[0]; dma.DMA_DIR = DMA_DIR_PeripheralDST; dma.DMA_BufferSize = DMA_BUFFER_SIZE; dma.DMA_PeripheralInc = DMA_PeripheralInc_Disable; dma.DMA_MemoryInc = DMA_MemoryInc_Enable; dma.DMA_PeripheralDataSize = DMA_PeripheralDataSize_Byte; dma.DMA_MemoryDataSize = DMA_MemoryDataSize_Byte; DMA_Init(DMA1_Channel4, &dma); GPIO_StructInit(&port); port.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; port.GPIO_Pin = GPIO_Pin_9; port.GPIO_Speed = GPIO_Speed_2MHz; GPIO_Init(GPIOA, &port); port.GPIO_Mode = GPIO_Mode_AF_PP; port.GPIO_Pin = GPIO_Pin_10; port.GPIO_Speed = GPIO_Speed_2MHz; GPIO_Init(GPIOA, &port); USART_StructInit(&usart); usart.USART_BaudRate = BAUDRATE; USART_Init(USART1, &usart); |
dma.DMA_PeripheralBaseAddr = (uint32_t)&(USART1->DR);
это адрес регистра данных USART
dma.DMA_MemoryBaseAddr = (uint32_t)&dataBuffer[0];это адрес регистра данных USART
аналогично ) адрес нулевого элемента массива
dma.DMA_DIR = DMA_DIR_PeripheralDST;
шлем в периферию, а не из нее
dma.DMA_BufferSize = DMA_BUFFER_SIZE;
буфер – 16 байт (#define DMA_BUFFER_SIZE 16)
dma.DMA_PeripheralInc = DMA_PeripheralInc_Disable;
dma.DMA_MemoryInc = DMA_MemoryInc_Enable;
в периферии не инкрементируем, в памяти – инкрементируем, прям как в примере про АЦП чуть выше
dma.DMA_PeripheralDataSize = DMA_PeripheralDataSize_Byte;dma.DMA_MemoryInc = DMA_MemoryInc_Enable;
в периферии не инкрементируем, в памяти – инкрементируем, прям как в примере про АЦП чуть выше
dma.DMA_MemoryDataSize = DMA_MemoryDataSize_Byte;
шлем байтами
DMA_Init(DMA1_Channel4, &dma);
Идем в таблицу с каналами – USART1_TX – 4 канал, все верно =)
Идем в таблицу с каналами – USART1_TX – 4 канал, все верно =)
int main() { __enable_irq(); initAll(); USART_Cmd(USART1, ENABLE); USART_DMACmd(USART1, USART_DMAReq_Tx, ENABLE); DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE); while(1) { __NOP(); } } |
USART_Cmd(USART1, ENABLE);
DMA_Cmd(DMA1_Channel4, ENABLE);
Включаем USART и DMA
USART_DMACmd(USART1, USART_DMAReq_Tx, ENABLE);
Активируем передачу в последовательный порт по запросу DMA
Активируем передачу в последовательный порт по запросу DMA
while(1) { __NOP(); } |
Процессор свободен.Запускаем программу в отладчике:
Данные пришли туда, куда и требовалось =)
На этом, собственно, все, с прямым доступом к памяти мы разобрались!
Ссылка на источник: http://microtechnics.ru/stm32-uchebnyj-kurs-dma/
Keil ошибки с extern
http://electronix.ru/forum/lofiversion/index.php/t107394.html
Деннис Ритчи - стр 94 о том что объявление и определение переменной разные вещи. EXTERN когда и как правильно.
Деннис Ритчи - стр 94 о том что объявление и определение переменной разные вещи. EXTERN когда и как правильно.
Отличные методички по СТМ32, RS232
http://www-micrel.deis.unibo.it/LABARCH/slidecorso2012/ - Примеры кода. Для DMA, Timers - Очень подробные.
http://www.cs.indiana.edu/~geobrown/book.pdf
http://www.cs.indiana.edu/~geobrown/book.pdf
воскресенье, 27 января 2013 г.
Хорошая статья о полевых транзисторах.
http://valvolodin.narod.ru/articles/FETsCntr.pdf
Как выбирать драйвер для силового ключа.
Как выбирать драйвер для силового ключа.
Бутстрепное питание полевого ключа.
http://www.bsuir.by/m/12_100229_1_65755.pdf стр 20-21
Примем, что ключи VT1 и VT2 противофазно переключаются, как и
должно быть, и что на данном интервале времени VT1 закрыт, VT2 открыт.
Следовательно, оба предмощных каскада – для верхнего ключа №1 и нижнего
ключа №2 запитываются от источника питания ИП почти одинаково: нижний –
21
непосредственно с выхода ИП, а верхний №1 получает питание по цепи: ИП,
бутстрепный диод VD, предмощный каскад №1, открытый транзистор
силового каскада VT2, земля источника питания ИП. Одновременно
заряжается бутстрепный конденсатор С. После закрывания VT2 и открывания
VT1 предмощный каскад №1 отключается от источника питания, теперь он
получает энергию от разряжающегося конденсатора С, диод VD закрыт
высоким напряжением +Е0 и т.д. Т.о. способ пригоден только для импульсных
режимов при достаточно высокой частоте и небольшой мощности на выходе
предмощного каскада №1, как в случае ключей типа MOSFET или IGBT с
изолированными затворами. В случае длительных импульсов или биполярных
транзисторов с большими токами в базовых цепях бутстрепное питание
применять нельзя, т.к. конденсатор С быстро разряжается, транзистор VT1
остается без управления.
Считается, что через бутстрепный диод VD в закрытом состоянии нет
гальванической связи с источником питания ИП, т.е. схема обеспечивает
гальваническую развязку. Насколько она приемлема, судить об этом
потребителю этого способа.
Примем, что ключи VT1 и VT2 противофазно переключаются, как и
должно быть, и что на данном интервале времени VT1 закрыт, VT2 открыт.
Следовательно, оба предмощных каскада – для верхнего ключа №1 и нижнего
ключа №2 запитываются от источника питания ИП почти одинаково: нижний –
21
непосредственно с выхода ИП, а верхний №1 получает питание по цепи: ИП,
бутстрепный диод VD, предмощный каскад №1, открытый транзистор
силового каскада VT2, земля источника питания ИП. Одновременно
заряжается бутстрепный конденсатор С. После закрывания VT2 и открывания
VT1 предмощный каскад №1 отключается от источника питания, теперь он
получает энергию от разряжающегося конденсатора С, диод VD закрыт
высоким напряжением +Е0 и т.д. Т.о. способ пригоден только для импульсных
режимов при достаточно высокой частоте и небольшой мощности на выходе
предмощного каскада №1, как в случае ключей типа MOSFET или IGBT с
изолированными затворами. В случае длительных импульсов или биполярных
транзисторов с большими токами в базовых цепях бутстрепное питание
применять нельзя, т.к. конденсатор С быстро разряжается, транзистор VT1
остается без управления.
Считается, что через бутстрепный диод VD в закрытом состоянии нет
гальванической связи с источником питания ИП, т.е. схема обеспечивает
гальваническую развязку. Насколько она приемлема, судить об этом
потребителю этого способа.
Статьи о транзисторах полевых
http://irf.ru/html/library.html
Переходные процессы на транзисторах полевых(с картинками).
http://www.irf.ru/techdoc/an-936.pdf
Переходные процессы на транзисторах полевых(с картинками).
http://www.irf.ru/techdoc/an-936.pdf
Фильтры пассивные
http://asstu.narod.ru/files/metod/treb_otc_1.pdf
Литература
1. Белецкий А.Ф. Теория линейных электрических цепей: Учебник для
вузов. - М.: Радио и связь, 1986. - 544 с.
2. Шебес М.Р., Каблукова М.В. Задачник по теории линейных
электрических цепей. - М.: Высшая школа, 1990. - 544 с.
3. Воробиенко П.П. Теория линейных электрических цепей. (Учебное
пособие для вузов). Сборник задач и упражнений. – М.: Радио и связь,
1989. - 328 с.
4. Ханзел Г.Е. Справочник по расчету фильтров / Пер. с англ. Под ред.
А.Е. Знаменского. М.: <Сов. Радио>, 1974. - 288 с.
5. Матханов П.Н. Основы синтеза линейных электрических цепей. –
М.: Высшая школа, 1976: - 208 с.
6. Альбац М.Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. -
М.: Госэнергоиздат, 1963. - 200 с.
7. Джонсон Д. И и др. Справочник по активным фильтрам. – М.:
Энергоатомиздат, 1983. - 128 с.
8. Хьюлсман Л.П. Теория и расчет активных RC-цепей. – М.: Связь,
1973. - 240 с.
9. Справочник по расчету и проектированию ARC-схем / Под ред.
А.А. Ланнэ. М.: Радио и связь, 1984. - 148 c.
10. Задание на курсовую работу и методические указания к ним по
курсу "Теория электрических цепей" по теме "Расчет электрических
фильтров". М.: МТУСИ. - 1998. - 52 с.
11. Прянишников В.А., Петров Е.А., Осипов Ю.М. Электротехника и
ТОЭ в примерах и задачах: Практическое пособие. - СПб.: Корона принт,
2001. - 336 с.
12. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и
электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics
Workbench: В 2 т., - Т. 1: Электротехника. - М.: ДОДЭКА, 1999. - 304 с.
13. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа
Workbench и ее применение. М.: Солон-Р, 1999.
14. Electronics Workbench Professional Edition. Version 5. Interactiv
Image Technologies Ltd. Toronto, Ontario, Canada, 1996.
Литература
1. Белецкий А.Ф. Теория линейных электрических цепей: Учебник для
вузов. - М.: Радио и связь, 1986. - 544 с.
2. Шебес М.Р., Каблукова М.В. Задачник по теории линейных
электрических цепей. - М.: Высшая школа, 1990. - 544 с.
3. Воробиенко П.П. Теория линейных электрических цепей. (Учебное
пособие для вузов). Сборник задач и упражнений. – М.: Радио и связь,
1989. - 328 с.
4. Ханзел Г.Е. Справочник по расчету фильтров / Пер. с англ. Под ред.
А.Е. Знаменского. М.: <Сов. Радио>, 1974. - 288 с.
5. Матханов П.Н. Основы синтеза линейных электрических цепей. –
М.: Высшая школа, 1976: - 208 с.
6. Альбац М.Е. Справочник по расчету фильтров и линий задержки. -
М.: Госэнергоиздат, 1963. - 200 с.
7. Джонсон Д. И и др. Справочник по активным фильтрам. – М.:
Энергоатомиздат, 1983. - 128 с.
8. Хьюлсман Л.П. Теория и расчет активных RC-цепей. – М.: Связь,
1973. - 240 с.
9. Справочник по расчету и проектированию ARC-схем / Под ред.
А.А. Ланнэ. М.: Радио и связь, 1984. - 148 c.
10. Задание на курсовую работу и методические указания к ним по
курсу "Теория электрических цепей" по теме "Расчет электрических
фильтров". М.: МТУСИ. - 1998. - 52 с.
11. Прянишников В.А., Петров Е.А., Осипов Ю.М. Электротехника и
ТОЭ в примерах и задачах: Практическое пособие. - СПб.: Корона принт,
2001. - 336 с.
12. Панфилов Д.И., Иванов В.С., Чепурин И.Н. Электротехника и
электроника в экспериментах и упражнениях: Практикум на Electronics
Workbench: В 2 т., - Т. 1: Электротехника. - М.: ДОДЭКА, 1999. - 304 с.
13. Карлащук В.И. Электронная лаборатория на IBM PC. Программа
Workbench и ее применение. М.: Солон-Р, 1999.
14. Electronics Workbench Professional Edition. Version 5. Interactiv
Image Technologies Ltd. Toronto, Ontario, Canada, 1996.
Порог миллера при открывании полевого транзистора.
http://www.terraelectronica.ru/files/mail/s080820.pdf
http://artradiolab.narod.ru/3.5.htm
10.11.2011.
http://artradiolab.narod.ru/3.5.htm
Эффект Миллера в полевых МДП или МОП транзисторах.
Формулы и расчет параметров цепей управления компенсирующих эффект Миллера можно посмотреть в статье
"Стабилизатор оборотов двигателя для полуавтомата, второй сезон."
Для понимания
эффекта Миллера, рассмотрим логику работы самого транзистора в качестве
усилителя на сопротивлениях.
Усилителем на сопротивлениях называется усилитель, в
котором в качестве нагрузки используется активное сопротивление, включенное в
цепь стока. При таком варианте не учитывается динамическое влияние емкостной
составляющей, а постоянство нагрузки упрощает понимание переходных процессов.
Когда на затворе "0", транзистор закрыт, нижний конец нагрузки на корпус не коротится, по этому на
нижнем конце нагрузки находиться "1".
Когда на затворе "1", транзистор открыт, нижний конец нагрузки закорочен на корпус,
поэтому на нижнем конце нагрузки находиться "0".
Из рисунка видно, транзистор, это инвертирующий усилитель. У него фазы входных и выходных сигналов
перевернуты на 180 градусов - их фронты и спады протекают в одно время. Поэтому выходные цепи сильно
мешают входным.
При управлении полевым транзистором, сигналу управления Затвор - Исток, через заряды конструкционных
паразитных емкостей, противодействует высокое напряжение сток - исток. Эффект Миллера,
это эффект влияния добавочной емкости стока на емкость затвора.
Для расчетов режимов транзистора, величина дополнительного заряда от эффекта Миллера, приравнивается
к эквивалентному увеличению входной емкости.
Но при расчетах режимов управления полевыми транзисторами, в любительских условиях, лучше
пользоваться величинами входных зарядов, а не величинами входных емкостей, потому что ток заряда RC цепи
изменяется не линейно, а по экспоненциальному закону. Действующий ток затвора будет более соответствующим
действительности, если брать для расчетов параметр "Заряд конденсатора" - Q, так называемый показатель
интегральной характеристики затвора.
Заряд затвора приводится в документации на все транзисторы в качестве обязательного параметра и
обозначается Qg, измеряется в нано Кулонах (nC). При этом, должны быть указаны режимы транзистора,
при которых производились замеры.
Обычно в документации на транзисторы указываются три типа зарядов.
Общий заряд затвора.
Заряд затвор – исток.
Заряд затвор – сток, он же создающий эффект Миллера.
Например, для транзистора IRF9540 мы имеем.
Q(g) (Total Gate Charge) – 61nC, при I(d)=19A; V(ds)=80V; V(gs)=10V.
Q(gs) (Gate-to-Source Charge) – 14nC, при I(d)=19A; V(ds)=80V; V(gs)=10V.
Q(gd) (Gate-to-Gain “Miller” Charge) – 29nC, при I(d)=19A; V(ds)=80V;
V(gs)=10V.
V(gs)=10V.
Приблизительно оценить увеличение входного заряда и емкости транзистора из – за эффекта
Миллера можно по формуле.
Относительно входных емкостей.
Свх=Сзи+(1+Ку)Сзс.
Ку=SRн, коэффициент усиления.
Или относительно входных зарядов.
Qвх=Qзи+(1+Ку)Qзс.
Ку=SRн, коэффициент усиления.
Желтым цветом у формулах выделен эффект Миллера в математическом представлении.
Это (1+Ку)Сзс,
Миллеровская добавочная емкость к емкости затвора.
S - крутизна характеристики, она же Gfs - Forvard Transconductance - зависимость тока стока от
напряжения на затворе. Измеряется в А/В (Ампер на Вольт).
Для расчета крутизны характеристики часто приводится графики.
Чем круче прямая S, тем больший Ку.
Как же работает МДП или МОП транзистор и где берется добавочная емкость Миллера.
Для наглядности, еще больше упростим работу транзистора. Представим полевой
транзистор как три конденсатора и два ключа. Теперь на этой модели будем
проводить эксперименты.
Разделим работу транзистора на две фазы – транзистор включен, транзистор выключен.
Транзистор включен.
Когда затвор транзистора подключен к источнику напряжения 10v. Рис.1.
Транзистор выключен.
Когда затвор транзистора подключен к земле. Рис.2.
Рис 1.
Рис 2.
Рис 3.
На Рис.3 показано как эффект Миллера искажает форму напряжения Uзи.
Толстая линия – изменение напряжения на затворе, Uз.
Тонкая линия – изменение выходного тока, Iс.
Вид слева – в управляющей цепи затвора сопротивление Rg = 10 кОм.
Большое сопротивление затвора не позволяет быстро разрядить заряд Сзс и в цепи затвора, при открытии и закрытии,
появляются большие паразитные импульсы.
Вид справа – в управляющей цепи затвора сопротивление Rg = 10 Ом.
При малом сопротивлении затвора вся добавочная энергия успевает отводиться на корпус. Импульсы высокого напряжения не
образуются.
На графике 3b видно, что при закрытии транзистора интервалы времени t1 и t3 имеют очень
маленькую длительность из-за большой крутизны характеристики, по сравнению с
процессом открывания - не заметны. Но время открывания и время закрывания полевых
транзисторов можно считать одинаковым, так же как и коммутационные токи.
Рассмотрим подробнее работу транзистора на упрощенных моделях.
Открытие полевого транзистора.
Процесс открывания и закрывания полевого транзистора принято разбивать на три временные стадии.
t1.
В течении этого времени ток затвора заряжает Сзи. По мере заряда емкости, растет напряжение на затворе. В
полевых транзисторах существует порог открытия, так называемое напряжение
отсечки – Uотс или Ugs(th). Когда напряжение на затворе достигает Uотс,
транзистор открывается. Напряжение Ucи начинает уменьшаться.
t2.
Из-за большой крутизны Вольт-Амперной характеристики - S, происходит мгновенное открытие перехода
сток / исток, внутренняя емкость Сзс, заряженная до напряжения 350v, закорачивается на корпус.
Происходит резкий разряд Cзс, который дает отрицательный импульс разряда в цепь затвора.
По мере потери энергии отрицательный потенциал затвора начинает плавно рассасываться через затворные
цепи и внутреннее сопротивление источника напряжения 10v переходя из отрицательной области в
положительную, достигает напряжения Uотс. Потенциалы на обкладках конденсатора Сзи уравниваются,
входной ток затвора начинает заряжать входную емкость до напряжения Uз = 10v.
t3.
После достижения напряжения насыщения транзистор полностью открыт.
Это напряжение полного открытия транзистора, оно меньше чем напряжение на затворе 10v.
Напряжение полного открытия можно легко рассчитать по формуле
Uзи = (Iс.max./S)+Uотс.
Например, для транзистора IRF540, Uзи = (15А/10)+3, Uзи = 4,5v.
Uзи = (Iс.max./S)+Uотс.
Например, для транзистора IRF540, Uзи = (15А/10)+3, Uзи = 4,5v.
В третьей фазе открытия происходит заряд входной емкости от
напряжения полного открытия - 4,5v, до напряжения питания - 10v.
Закрытие полевого транзистора.
t1.
При закорачивании вывода затвора на корпус начинается очень быстрый разряд конденсаторов Сзи и Сзи.
Напряжение Ucи уменьшается, транзистор выходит из режима насыщения.
t2
Из - за большой крутизны характеристики идет мгновенное увеличение сопротивления Rси.
Увеличение Rси ведет одновременно к разрыву Cзс с корпусом и подаче на него напряжения Uси = 350v.
Конденсатор заряжается током стока, через цепь затвора, до заряда Q = 22нКл.
Это вызывает паразитный положительный импульс высокого напряжения в цепи управления затвором,
который заряжает Сзи.
Происходит процесс разряда конденсатора Сзи и только что перезарядившегося до большого потенциала Сзс.
Разряд протекает через цепь затвора до точки порогового напряжения затвора Uотс.
Это полное закрытие транзистора.
t3
Транзистор уже полностью закрыт. Точка порогового напряжения U отс пройдена.
Но конденсаторы еще имеют некоторый заряд Q, равный пороговому напряжению Uотс=3v.
В последнем временном интервале происходит полный разряд входной емкости от напряжения 3v до "0".
Закрытие транзистора происходит аналогично открытию, только в этой стадии в цепь затвора добавится
напряжение положительного выброса паразитного импульса от заряда Сзс. Этот момент очень опасен для
полевого транзистора и для работы всей схемы, так как уже закрывающийся транзистор может снова
открыться не в своей фазе и неправильно перераспределить напряжения и токи схемы. Кроме этого, повышение
напряжения на затворе может быть больше паспортной нормы, при этом транзистор то же выйдет из строя.
Величина паразитного импульса в цепи затвора МДП или МОП транзистора зависит от следующих параметров.
Uси
Iси
Rнагрузки
R цепи управления
Sсз
Qзс
Qз
Qзи
Для определения потенциала высоковольтных паразитных импульсов в цепях затвора,
применяется формула, которая показывает какое напряжение будет на затворе
транзистора при перезаряде емкости Сзс, при неподключенном затворе.
Uзи=(1/(1+Сз/Сзс))*Uси.
Или.
Uзи=(1/(1 +Qз/Qзс))*Uси.
Если расчетное значение напряжения Uзи,
по этой формуле будет превышать паспортное значение, тогда при расчете цепей
управления нужно применять следующие меры.
Ставить более мощные, с малым выходным сопротивлением и токами насыщения ключи.
Применить более мощный, с малым внутренним сопротивлением, источник питания затвора. Чем
мощнее источник питания, тем меньше у него внутреннее сопротивление.
Сопротивление резистора в цепи управления затвора должно быть в районе 20-50 Ом, и не
превышать рекомендованные производителем номиналы.
Рабочие процессы полевых транзисторов с изолированным затвором,
зарубежные названия MOSFET и IGBT транзисторы, очень хорошо описаны в
статье
"Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми
полевыми транзисторами".
«Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами».
«Разработка и применение высокоскоростных схем управления силовыми полевыми транзисторами».
Как раз то, что нужно, изучите, не пожалеете!
Желаю новых творческих решений.
С ув. Белецкий А. И.
Как удалить сразу все переносы на следующую строку для большого текста?
http://translate.ru
Еще один вопрос подписчика: “Есть ли возможность удалить сразу все переносы на следующую строку для большого текста? Кликать на каждой строке и нажимать “Delete” утомительно и долго.”
Такая возможность как раз-таки есть. Само собой заходим в Ворд (Word). Я расскажу принцип удаления переносов в Word 2007, 2010 года выпуска. Итак в самом верху представлено меню:
Нажимаем: (значок кружочка рядом со вкладкой “Абзац”)
Перед нами появилось вот такое окошко. (раздела “Абзац”)
Далее выбираем: «запретить автоматический перенос слов» и ставим галочку.
После нажимаем ОК. Вот в принципе и всё.
Также существует и другой способ. Сейчас я о нём тоже расскажу.
В Wordе символ переноса строки надо поменять обычным пробелом, для
этого нужно в окне, когда мы делаем замену “Ctrl+H – окно замены”, в
строке “найти” написать “^p” без кавычек, и в строке “заменить на”
прописать пробел. После этого жмём заменить всё. Но оговорюсь, что, если
делая так, то абзацы тоже сомкнутся…
Хотя возможно заменить “.^p” на, “.1!”, потом, “^p” поменять на пробел и после, “.1!” поменять на “.^p”.
По-моему, этот вариант должен убрать все посторонние переносы, а оставить лишь только те, где стоял знак препинания, тоесть точка.
Вот эти два способа должны убрать все лишние переносы строк. Приятной вам работы.
Еще один вопрос подписчика: “Есть ли возможность удалить сразу все переносы на следующую строку для большого текста? Кликать на каждой строке и нажимать “Delete” утомительно и долго.”
Такая возможность как раз-таки есть. Само собой заходим в Ворд (Word). Я расскажу принцип удаления переносов в Word 2007, 2010 года выпуска. Итак в самом верху представлено меню:
удалить переносы на следующую строку
удалить переносы на следующую строку
удалить строки
убрать переносы
Также существует и другой способ. Сейчас я о нём тоже расскажу.
замена переносов
Хотя возможно заменить “.^p” на, “.1!”, потом, “^p” поменять на пробел и после, “.1!” поменять на “.^p”.
По-моему, этот вариант должен убрать все посторонние переносы, а оставить лишь только те, где стоял знак препинания, тоесть точка.
Вот эти два способа должны убрать все лишние переносы строк. Приятной вам работы.
Введение
1.1 Соглашения о присвоении имен
1.1.1 Ячейки, батареи и пакеты
Есть некоторый беспорядок в терминах, использованных, чтобы описать различные компоненты аккумуляторной батареи, вероятно вследствие того, что мы говорим "батареи" при обращении к щелочным элементам, и что мы склонны забывать, что автомобильная батарея стартера действительно составлена из шести ячеек.
В этой книге мы используем следующие термины:
• Ячейка: самый основной элемент батареи [обеспечение 3 В до 4 В в случае
литий-ионной (Литий-ионный)];
• Блок: набор ячеек, соединенных проводом непосредственно параллельно, также обеспечивая 3 В до 4 В;
• Батарея: набор ячеек (или блоки) соединенных проводом последовательно, составляющих единый
физический модуль, тем самым обеспечивая более высокое напряжение (например, модуль батареи
- использует четыре ячейки последовательно, чтобы обеспечить 12 В номинально);
• Пакет (или аккумуляторная батарея): набор батарей, расположенных в любом ряду и/или
параллельная комбинация.
1.1.2 Сопротивление
Когда производители ячейки перечисляют сопротивление в своих спецификациях, они обычно говорят об импедансе AC (см. Раздел 1.2.7). То, что должен знать пользователь, является последовательным сопротивлением DC, не импедансом AC, потому что DC что потоки через ячейки. Поэтому, всюду по этой книге, термин сопротивление относится в частности к внутреннему последовательному сопротивлению DC ячейки или батареи.
1.2 Литий-ионные ячейки
У литий-ионных перезаряжающихся ячеек есть самая высокая плотность энергии, и среди самых высоких удельных мощностей, любой ячейки, коммерчески доступной сегодня. Они способны к удивительной производительности (рисунок 1.1) и являются стандартным выбором для многой потребительской электронной продукции, такой как ноутбуки и сотовые телефоны. Они также быстро становятся выбором для тяговых пакетов в автомобилях.
1.1 Соглашения о присвоении имен
1.1.1 Ячейки, батареи и пакеты
Есть некоторый беспорядок в терминах, использованных, чтобы описать различные компоненты аккумуляторной батареи, вероятно вследствие того, что мы говорим "батареи" при обращении к щелочным элементам, и что мы склонны забывать, что автомобильная батарея стартера действительно составлена из шести ячеек.
В этой книге мы используем следующие термины:
• Ячейка: самый основной элемент батареи [обеспечение 3 В до 4 В в случае
литий-ионной (Литий-ионный)];
• Блок: набор ячеек, соединенных проводом непосредственно параллельно, также обеспечивая 3 В до 4 В;
• Батарея: набор ячеек (или блоки) соединенных проводом последовательно, составляющих единый
физический модуль, тем самым обеспечивая более высокое напряжение (например, модуль батареи
- использует четыре ячейки последовательно, чтобы обеспечить 12 В номинально);
• Пакет (или аккумуляторная батарея): набор батарей, расположенных в любом ряду и/или
параллельная комбинация.
1.1.2 Сопротивление
Когда производители ячейки перечисляют сопротивление в своих спецификациях, они обычно говорят об импедансе AC (см. Раздел 1.2.7). То, что должен знать пользователь, является последовательным сопротивлением DC, не импедансом AC, потому что DC что потоки через ячейки. Поэтому, всюду по этой книге, термин сопротивление относится в частности к внутреннему последовательному сопротивлению DC ячейки или батареи.
1.2 Литий-ионные ячейки
У литий-ионных перезаряжающихся ячеек есть самая высокая плотность энергии, и среди самых высоких удельных мощностей, любой ячейки, коммерчески доступной сегодня. Они способны к удивительной производительности (рисунок 1.1) и являются стандартным выбором для многой потребительской электронной продукции, такой как ноутбуки и сотовые телефоны. Они также быстро становятся выбором для тяговых пакетов в автомобилях.
суббота, 26 января 2013 г.
Литий Ионные батареи. Содержание.
ГЛАВА 1
Введение 1
1.1 Соглашения о присвоении имен 1
1.1.1 Ячейки, батареи и пакеты 1
1.1.2 Сопротивление 1
1.2 Литий-ионные ячейки 1
1.2.1 Форматы 2
1.2.2 Химия 3
1.2.3 Безопасность 4
1.2.4 Безопасная операционная область 6
1.2.5 Эффективность 6
1.2.6 Старея 9
1.2.7 Моделирование 10
1.2.8 Неравные напряжения в последовательных цепях 12
1.3 Литий-ионный BMSs 15
1.3.1 Определение BMS 16
1.3.2 Литий-ионные функции BMS 16
1.3.3 Пользовательский по сравнению со стандартными 16
1.4 Литий-ионные аккумуляторы 18
1.4.1 SOC, DOD и ёмкость 18
1.4.2 Баланс и балансирование 22
1.4.3 SOH 31
Ссылки 33
ГЛАВА 2
Опции BMS 35
2.1 Функциональность 35
2.1.1 Зарядные устройства CCCV 35
2.1.2 Регуляторы 37
2.1.3 Измерители(Счётчики) 38
2.1.4 Мониторы 39
2.1.5 Балансировщики 40
2.1.6 Средства защиты 41
2.1.7 Сравнение функциональности 41
2.2 Технологии 41
2.2.1 Простые (Аналоговые) 42
2.2.2 Сложные (Цифровые) 43
2.2.3 Технологическое сравнение 43
2.3 Топология 44
2.3.1 Централизованная 44
2.3.2 Модульная 45
2.3.3 "Главный-подчиненный"
2.3.4 Распределенная 47
2.3.5 Сравнение топологии 49
ГЛАВА 3
Функции BMS 51
3.1 Измерение 51
3.1.1 Напряжение 52
3.1.2 Температура 54
3.1.3 Ток 54
3.2 Управление 58
3.2.1 Защита 58
3.2.2 Тепловое управление 63
3.2.3 Балансирование 64
3.2.4 Перераспределение 84
3.2.5 Распределенная зарядка 87
3.3 Оценка 88
3.3.1 Состояние заряда и глубина разряда(SOC и DOD) 89
3.3.2 Ёмкость 95
3.3.3 Сопротивление 96
3.3.4 Состояние здоровья (SOH) 97
3.4 Внешняя связь 97
3.4.1 Выделенный аналоговый провод 98
3.4.2 Выделенный цифровой провод 99
3.4.3 Канал передачи данных 102
3.5 Журналирование и телеметрия 105
Ссылки 105
ГЛАВА 4
Стандартные BMS'ы 107
4.1 Введение 107
4.1.1 Простые 107
4.1.2 Сложные 111
4.1.3 BMS'ы производителей ячейки 117
4.1.4 Сравнение 118
Пользовательский проект BMS 121
5.1 При помощи BMS ASICs 121
5.1.1 Выбор ASIC BMS 121
5.1.2 Сравнение ASIC BMS 124
5.2 Аналоговый проект BMS 125
5.2.1 Аналоговый регулятор 125
5.2.2 Аналоговый монитор 127
5.2.3 Аналоговый балансировщик 138
5.2.4 Аналоговое средство защиты 144
5.3 Готовый, цифровой BMS разрабатывает 144
5.3.1 Процессор BMS ATMEL 144
5.3.2 Чипсет BMS Элизайона 145
5.3.3 Полный BMS National Semiconductors’ 146
5.3.4 BMS Питера Перкина с открытым исходным кодом 147
5.3.5 bq29330/bq20z90 Texas Instruments 149
5.3.6 bq78PL114/bq76PL102 Texas Instruments 151
5.4 Пользовательский цифровой проект BMS 152
5.4.1 Напряжение и измерение температуры 152
5.4.2 Измерение тока 175
5.4.3 Оценка 178
5.4.4 Связь 192
5.4.5 Оптимизация 202
5.4.6 Переключение 215
5.4.7 Журналирование 218
5.5 Интерфейс ячейки 219
5.5.1 Нераспределенный 219
5.5.2 Распределенный 220
5.6 Распределенная зарядки 226
ГЛАВА 6
Развертывание BMS 229
6.1 Установка 229
6.1.1 Проект 229 аккумуляторной батареи
6.1.2 Соединения BMS, чтобы упаковать 243
6.1.3 Соединения BMS с системой 247
6.2 Конфигурирование 252
6.2.1 Конфигурация ячейки 252
6.2.2 Конфигурация пакета 252
6.2.3 Конфигурация системы 253
6.3 Тестирование 253
6.4 Поиск и устранение неисправностей 255
6.4.1 Основание 255
6.4.2 Экранирование 255
6.4.3 Фильтрация 255
6.4.4 Формирование разводки 256
6.4.5 Очертания неприятности 256
6.5 Использование 256
Ссылка 256
Список акронимов и сокращений 257
Глоссарий 261
Об авторе 269
Индекс 271
Введение 1
1.1 Соглашения о присвоении имен 1
1.1.1 Ячейки, батареи и пакеты 1
1.1.2 Сопротивление 1
1.2 Литий-ионные ячейки 1
1.2.1 Форматы 2
1.2.2 Химия 3
1.2.3 Безопасность 4
1.2.4 Безопасная операционная область 6
1.2.5 Эффективность 6
1.2.6 Старея 9
1.2.7 Моделирование 10
1.2.8 Неравные напряжения в последовательных цепях 12
1.3 Литий-ионный BMSs 15
1.3.1 Определение BMS 16
1.3.2 Литий-ионные функции BMS 16
1.3.3 Пользовательский по сравнению со стандартными 16
1.4 Литий-ионные аккумуляторы 18
1.4.1 SOC, DOD и ёмкость 18
1.4.2 Баланс и балансирование 22
1.4.3 SOH 31
Ссылки 33
ГЛАВА 2
Опции BMS 35
2.1 Функциональность 35
2.1.1 Зарядные устройства CCCV 35
2.1.2 Регуляторы 37
2.1.3 Измерители(Счётчики) 38
2.1.4 Мониторы 39
2.1.5 Балансировщики 40
2.1.6 Средства защиты 41
2.1.7 Сравнение функциональности 41
2.2 Технологии 41
2.2.1 Простые (Аналоговые) 42
2.2.2 Сложные (Цифровые) 43
2.2.3 Технологическое сравнение 43
2.3 Топология 44
2.3.1 Централизованная 44
2.3.2 Модульная 45
2.3.3 "Главный-подчиненный"
2.3.4 Распределенная 47
2.3.5 Сравнение топологии 49
ГЛАВА 3
Функции BMS 51
3.1 Измерение 51
3.1.1 Напряжение 52
3.1.2 Температура 54
3.1.3 Ток 54
3.2 Управление 58
3.2.1 Защита 58
3.2.2 Тепловое управление 63
3.2.3 Балансирование 64
3.2.4 Перераспределение 84
3.2.5 Распределенная зарядка 87
3.3 Оценка 88
3.3.1 Состояние заряда и глубина разряда(SOC и DOD) 89
3.3.2 Ёмкость 95
3.3.3 Сопротивление 96
3.3.4 Состояние здоровья (SOH) 97
3.4 Внешняя связь 97
3.4.1 Выделенный аналоговый провод 98
3.4.2 Выделенный цифровой провод 99
3.4.3 Канал передачи данных 102
3.5 Журналирование и телеметрия 105
Ссылки 105
ГЛАВА 4
Стандартные BMS'ы 107
4.1 Введение 107
4.1.1 Простые 107
4.1.2 Сложные 111
4.1.3 BMS'ы производителей ячейки 117
4.1.4 Сравнение 118
Пользовательский проект BMS 121
5.1 При помощи BMS ASICs 121
5.1.1 Выбор ASIC BMS 121
5.1.2 Сравнение ASIC BMS 124
5.2 Аналоговый проект BMS 125
5.2.1 Аналоговый регулятор 125
5.2.2 Аналоговый монитор 127
5.2.3 Аналоговый балансировщик 138
5.2.4 Аналоговое средство защиты 144
5.3 Готовый, цифровой BMS разрабатывает 144
5.3.1 Процессор BMS ATMEL 144
5.3.2 Чипсет BMS Элизайона 145
5.3.3 Полный BMS National Semiconductors’ 146
5.3.4 BMS Питера Перкина с открытым исходным кодом 147
5.3.5 bq29330/bq20z90 Texas Instruments 149
5.3.6 bq78PL114/bq76PL102 Texas Instruments 151
5.4 Пользовательский цифровой проект BMS 152
5.4.1 Напряжение и измерение температуры 152
5.4.2 Измерение тока 175
5.4.3 Оценка 178
5.4.4 Связь 192
5.4.5 Оптимизация 202
5.4.6 Переключение 215
5.4.7 Журналирование 218
5.5 Интерфейс ячейки 219
5.5.1 Нераспределенный 219
5.5.2 Распределенный 220
5.6 Распределенная зарядки 226
ГЛАВА 6
Развертывание BMS 229
6.1 Установка 229
6.1.1 Проект 229 аккумуляторной батареи
6.1.2 Соединения BMS, чтобы упаковать 243
6.1.3 Соединения BMS с системой 247
6.2 Конфигурирование 252
6.2.1 Конфигурация ячейки 252
6.2.2 Конфигурация пакета 252
6.2.3 Конфигурация системы 253
6.3 Тестирование 253
6.4 Поиск и устранение неисправностей 255
6.4.1 Основание 255
6.4.2 Экранирование 255
6.4.3 Фильтрация 255
6.4.4 Формирование разводки 256
6.4.5 Очертания неприятности 256
6.5 Использование 256
Ссылка 256
Список акронимов и сокращений 257
Глоссарий 261
Об авторе 269
Индекс 271
четверг, 24 января 2013 г.
вторник, 22 января 2013 г.
ЛУТ
Xerox Phaser 3010
http://www.servodroid.ru/forum/16-332-1
http://we.easyelectronics.ru/kest/opyty-s-lut.html
http://we.easyelectronics.ru/evsi/fotorezist-photec-h-6300-ili-recept-nomer-2.html
http://forum.reutov.ru/index.php?/topic/6092-%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%BE-%D1%83%D1%82%D1%8E%D0%B6%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F/
http://www.chipmaker.ru/topic/29619/
http://cxem.net/master/54.php - Зелёная краска на плату
http://gibr.su/components/%D0%BF%D0%B0%D1%8F%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D0%BC%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0-%D0%B4%D0%BB%D1%8F-%D0%BF%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%BD%D1%8B%D1%85-%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%82-bungard-green-coat
http://alex-avr2.livejournal.com/9250.html
http://habrahabr.ru/post/134834/
http://one1ove.ru/finish-him/ !!!!
печатаю на бумаге lomond 140g/m2 , на глянцевой стороне. картриджу 100 лет в обед, перезаправлен раза 3.
Утюжу современным лёгким утюгом на максимуме жара, в течении 30-50 секунд (сначала грею плашмя, потом наклоняю утюг, и сильно прижимаю бочком). Потом кидаю на пол и сверху кладу какую то огромную тяжеленную пластину ( она идеально ровная, папа с работы когда-то притащил). Без прижима этой пластины всегда хуже, это факт! бывает она теряется в подвале, и прижимаю книжкой, а сам становлюсь сверху, но это вата(. Жду минут 5 и под воду. Потом пью чай/смотрю фильм и через минут 40 аккуратно пальцами соскребаю бумагу. Всё)
Заметил что сильно влияет бумага ( лучше ломонда не нашёл, даже самоклейка 600 показалась хуже) и прижим после нагрева. Ну и бумагу ессно отдирать аккуратно, слоями, а не сразу участками.
Глянцевую бумагу для лут-перевода следует выбирать тонкую. В противном случае(для толстой бумаги) придётся прогревать плату дольше или ставить температуру утюга выше. Такую бумагу (рекламные проспекты) можно без проблемм взять в магазинах торгующих сотовыми телефонами. Случаев отказа не было, так как продавцы не знают для чего вы её используете :). Важный момент, во время перевода перенесите вес тела на утюг, вы должны давить на "бутерброд" из бумаги и стеклотектолита. Переводите в два подхода 3+3 минуты, с небольшим перерывом. Если перевод проходит неважно, тогда 4+4 минуты. Строго говоря весь смысл лут-перевода заключается в эффективном плавлении тонера нанесённого на глянцевую бумагу, с последующим налипанием на фольгированную поверхность стеклотектолиста. Зная это постарайтесь определить свои оптимальные варианты перевода, время выдержки, температуру утюга.
По качеству лучше фоторезиста нет-это общепризнаный факт. Печатная плата выполненая по технологии фоторезиста в домашних условиях имеет почти заводское качество. Технология ЛУта менее трудоёмка, дешевле и тоже достаточно качественна, причём на глянцевой бумаге. А вариант с заправкой в принтер фольги, вместо глянцевой бумаги есть авантюра, которая может закончиться поломкой вашего принтера! Поэтому не рекомендую, слишком рискованно.
Касательно качества печатной платы методом ЛУта на глянцевой бумаге скажу следующее. Я уже несколько лет делаю таким методом печатные платы и довёл технологию перевода практически до 100%. Толщину токоведущей дорожки и клиренс (расстояние между токоведущими дорожками) могу сделать в 0,15мм без особого напряжения. Замечу, что главная ошибка новичка при использовании метода ЛУта -это не строгое придерживание рекомендациям и вследствии этого неважный результат перевода. По большому счёту качество перевода при ЛУте зависит как сейчас принято выражаться от "прямых рук", а не от носителя (бумага, фольга) как некоторые считают. Метод ЛУТа, который я использую можно найти здесь http://www.servodroid.ru/load/0-0-0-6-20
http://www.servodroid.ru/forum/16-332-1
http://we.easyelectronics.ru/kest/opyty-s-lut.html
http://we.easyelectronics.ru/evsi/fotorezist-photec-h-6300-ili-recept-nomer-2.html
http://forum.reutov.ru/index.php?/topic/6092-%D0%BB%D0%B0%D0%B7%D0%B5%D1%80%D0%BD%D0%BE-%D1%83%D1%82%D1%8E%D0%B6%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D1%82%D0%B5%D1%85%D0%BD%D0%BE%D0%BB%D0%BE%D0%B3%D0%B8%D1%8F/
http://www.chipmaker.ru/topic/29619/
http://cxem.net/master/54.php - Зелёная краска на плату
http://gibr.su/components/%D0%BF%D0%B0%D1%8F%D0%BB%D1%8C%D0%BD%D0%B0%D1%8F-%D0%BC%D0%B0%D1%81%D0%BA%D0%B0-%D0%B4%D0%BB%D1%8F-%D0%BF%D0%B5%D1%87%D0%B0%D1%82%D0%BD%D1%8B%D1%85-%D0%BF%D0%BB%D0%B0%D1%82-bungard-green-coat
http://alex-avr2.livejournal.com/9250.html
http://habrahabr.ru/post/134834/
http://one1ove.ru/finish-him/ !!!!
печатаю на бумаге lomond 140g/m2 , на глянцевой стороне. картриджу 100 лет в обед, перезаправлен раза 3.
Утюжу современным лёгким утюгом на максимуме жара, в течении 30-50 секунд (сначала грею плашмя, потом наклоняю утюг, и сильно прижимаю бочком). Потом кидаю на пол и сверху кладу какую то огромную тяжеленную пластину ( она идеально ровная, папа с работы когда-то притащил). Без прижима этой пластины всегда хуже, это факт! бывает она теряется в подвале, и прижимаю книжкой, а сам становлюсь сверху, но это вата(. Жду минут 5 и под воду. Потом пью чай/смотрю фильм и через минут 40 аккуратно пальцами соскребаю бумагу. Всё)
Заметил что сильно влияет бумага ( лучше ломонда не нашёл, даже самоклейка 600 показалась хуже) и прижим после нагрева. Ну и бумагу ессно отдирать аккуратно, слоями, а не сразу участками.
Глянцевую бумагу для лут-перевода следует выбирать тонкую. В противном случае(для толстой бумаги) придётся прогревать плату дольше или ставить температуру утюга выше. Такую бумагу (рекламные проспекты) можно без проблемм взять в магазинах торгующих сотовыми телефонами. Случаев отказа не было, так как продавцы не знают для чего вы её используете :). Важный момент, во время перевода перенесите вес тела на утюг, вы должны давить на "бутерброд" из бумаги и стеклотектолита. Переводите в два подхода 3+3 минуты, с небольшим перерывом. Если перевод проходит неважно, тогда 4+4 минуты. Строго говоря весь смысл лут-перевода заключается в эффективном плавлении тонера нанесённого на глянцевую бумагу, с последующим налипанием на фольгированную поверхность стеклотектолиста. Зная это постарайтесь определить свои оптимальные варианты перевода, время выдержки, температуру утюга.
По качеству лучше фоторезиста нет-это общепризнаный факт. Печатная плата выполненая по технологии фоторезиста в домашних условиях имеет почти заводское качество. Технология ЛУта менее трудоёмка, дешевле и тоже достаточно качественна, причём на глянцевой бумаге. А вариант с заправкой в принтер фольги, вместо глянцевой бумаги есть авантюра, которая может закончиться поломкой вашего принтера! Поэтому не рекомендую, слишком рискованно.
Касательно качества печатной платы методом ЛУта на глянцевой бумаге скажу следующее. Я уже несколько лет делаю таким методом печатные платы и довёл технологию перевода практически до 100%. Толщину токоведущей дорожки и клиренс (расстояние между токоведущими дорожками) могу сделать в 0,15мм без особого напряжения. Замечу, что главная ошибка новичка при использовании метода ЛУта -это не строгое придерживание рекомендациям и вследствии этого неважный результат перевода. По большому счёту качество перевода при ЛУте зависит как сейчас принято выражаться от "прямых рук", а не от носителя (бумага, фольга) как некоторые считают. Метод ЛУТа, который я использую можно найти здесь http://www.servodroid.ru/load/0-0-0-6-20
воскресенье, 20 января 2013 г.
Как открыть полевой транзистор?
http://habrahabr.ru/post/133493/
http://sxemy.103mb.ru/poleviki/39-podklyuchaem_polevye_tranzistory_k_mikrokontrolleru.html
http://sxemy.103mb.ru/poleviki
http://sxemy.103mb.ru/poleviki/42-optimalinoe_upravlenie_polevym_tranzistorom.html
http://sezador.radioscanner.ru/pages/articles/sources/realjfet.htm
http://sxemy.103mb.ru/poleviki/39-podklyuchaem_polevye_tranzistory_k_mikrokontrolleru.html
http://sxemy.103mb.ru/poleviki
http://sxemy.103mb.ru/poleviki/42-optimalinoe_upravlenie_polevym_tranzistorom.html
http://sezador.radioscanner.ru/pages/articles/sources/realjfet.htm
Power Down IAR
Поиск в Google: IAR EWAVR intext:__sleep();
http://we.easyelectronics.ru/AVR/avr-power-management-ili-kak-pravilno-spat.html
http://microsin.ru/content/view/30/1/
http://electronix.ru/forum/lofiversion/index.php/t48405.html
http://chipenable.ru/index.php/forum/2-mikrokontrollery-avr/1892-vklyuchenie-vyklyuchenie-avr-odnoj-knopkoj-rezhim-power-down.html
http://embedders.org/blog/teap0t/miro-samek-ispolzovanie-rezhimov-malogo-energopotrebleniya-v-prostykh-programmnykh-arkhi?page=0,2
http://read.pudn.com/downloads72/sourcecode/embed/261326/code/IAR/RX/main.c__.htm
http://read.pudn.com/downloads72/sourcecode/embed/261326/code/IAR/RX/memory.c__.htm
https://bitbucket.org/christianIca/canfestival-3-ica/src/36f0b3031cea/include/AVR/iar.h
http://www.ece.cmu.edu/~ece549/spring08/team6/healthnet/avr/rdk230wpan-1.5/src/inc/avrtypes.h
http://we.easyelectronics.ru/AVR/avr-power-management-ili-kak-pravilno-spat.html
http://microsin.ru/content/view/30/1/
http://electronix.ru/forum/lofiversion/index.php/t48405.html
http://chipenable.ru/index.php/forum/2-mikrokontrollery-avr/1892-vklyuchenie-vyklyuchenie-avr-odnoj-knopkoj-rezhim-power-down.html
http://embedders.org/blog/teap0t/miro-samek-ispolzovanie-rezhimov-malogo-energopotrebleniya-v-prostykh-programmnykh-arkhi?page=0,2
http://read.pudn.com/downloads72/sourcecode/embed/261326/code/IAR/RX/main.c__.htm
http://read.pudn.com/downloads72/sourcecode/embed/261326/code/IAR/RX/memory.c__.htm
https://bitbucket.org/christianIca/canfestival-3-ica/src/36f0b3031cea/include/AVR/iar.h
http://www.ece.cmu.edu/~ece549/spring08/team6/healthnet/avr/rdk230wpan-1.5/src/inc/avrtypes.h
Как искать в Google Поиск по ключевым словам
Возможности Google-поиска
inurl:ftp
site:
intext:
filetype:
movie:
music:
Теперь о разрешенных комбинациях. После ряда испытаний хорошо себя проявили в совместной работе следующие команды: intitle:, site:, inurl:, filetype:. Скажем, нас интересуют архивы электронных книг на английском языке. Составляем такой запрос: books intitle:”index of” inurl:ftp. В результате получим ссылки на весьма приличные ftp-архивы. Что касается запроса, то на человеческий язык перевести его можно так: нас интересуют страницы, где встречается слово book, заголовок страницы должен содержать фразу index of (характерную для списка в ftp-архиве), а также для верности, что мы имеем дело с ftp, URL должен содержать слово ftp. Возможны различные вариации на эту тему.Не поддерживаются запросы, состоящие из более чем 10 слов.
До появления на мировой арене поисковых систем Google, поиск нужной информации в мировой паутине в большинстве случаев основывался на методе научного тыка, долго и нудно приходилось разгребать эту гору информации, вываливаемую на тебя поисковиком. Благодаря идеи сортировки по бэклинкам(backlinks) страниц, выдаваемых при запросе, реализованной в Гугле, шанс “нарваться” на нужную информацию с первых попыток стал гораздо реальней. И это при том, что более 70% пользователей не используют все возможности поиска в Гугле. А возможностей у него предостаточно. В этот статье будет приведен перечень всех наиболее ценных инструментов поиска.
Логические операторы
В арсенале популярнейшего в мире поисковика всего два логических оператора: AND (поиск по всем словам) либо OR (по каждому в отдельности). Используя эти операторы, можно строить более гибкие запросы. Например: Компьютеры (Новости AND События AND Выставки) Увидев такое, Google отыщет для вас страницы, на которых встречается упоминание слова “компьютеры” в контексте новостей, событий или выставок.
Теперь поговорим о минусах. Предположим, вас интересует все, что связано с именем Билл, но совершенно не интересует Билл Гейтс. Что в этом случае вы делаете? Очень просто - используете минус: Билл -Гейтс Приведенная конструкция однозначно даст понять Google, что вас интересуют все страницы, в которых упоминается имя Билл, за исключением тех, где упоминается фамилия Гейтс.
Похожие слова
Для того, чтобы Google искал слова, похожие на заданное, используйте символ “~” (тильда). Будут найдены синонимы и слова с альтернативными окончаниями. Пример: ~hippo (по запросу будет так же найдено, например, слово hyppopotamus).
Кавычки
Если вам необходимо найти определенную фразу дословно, можно использовать кавычки. Пример: “Hotel California” (аналогичный запрос без кавычек вернул бы не только ссылки на все упоминания одноименной песни, но и на множество сайтов тур-операторов и гостиниц).
Маски
Символ “*” можно использовать как маску - условное обозначение произвольного количества любых символов. Это может быть полезно, например, если вы пытаетесь найти текст песни, но не можете при этом точно вспомнить слова. Или отыскать сайт, домен которого запомнился только отчасти. Пример: welcome to the hotel * such a lovely place; *pedia.org.
Числовые интервалы
Google использует также менее известный оператор массива цифр. Например, поиск с использованием 2000..2005 выдаст результаты, которые будут включать в себя следующие года: 2000, 2001, 2002 и так далее до 2005. Использование того же оператора таким образом ..31 позволит найти страницы, содержащие числа меньше 31, а поиск 31.. найдёт страницы с числами больше 31.
Поиск лиц
У поисковика картинок есть интересная (и, на сколько мне известно, пока официально недокументированная) возможность - выделять из всего множества найденных изображений лица. Для того, чтобы этим воспользоваться, необходимо добавить к URL результата поискового запроса дополнительный GET-параметр imgtype=face. Пример: http://…/images?q=Audrey+Tautou&imgtype=face
Расширенный поиск
Если вы забыли какой-либо из перечисленных операторов, всегда можно воспользоваться формой расширенного поиска.
Информация о сайте
С помощью оператора info: можно получить известную Google информацию об указанном сайте. Пример: info:webostrovok.ru.
Калькулятор
Одной из полезных и при этом малоизвестных возможностей Google является вычисление арифметических выражений. Во многих случаях это быстрее, чем использование программы калькулятора. В выражениях можно использовать операторы +, -, *, /, ^ (степень), sqrt (квадратный корень), sin, cos, tan, ln, lg, exp (ex), скобки и много чего еще. Пример: sqrt(25 * 25) * 768.
Преобразователь единиц измерения
Google можно использовать для быстрого преобразования метров в ярды, килограммов в фунты, литров в джоули. Для этого используется абсолютно естественный для человеческого понимания синтаксис. Пример: 16 tons in pounds. По тому же принципу можно выполнять преобразования между суммами в различных валютах. Например: 15 Ruble in USD. Курсы валют Google узнаёт из Citibank N.A.
Ответ на главный вопрос жизни, вселенной и всего такого
Google знает ответ даже на этот сакраментальный вопрос (если он будет записан по-английски в нижнем регистре).
Дополнительные команды Google
site:
Пожалуй, одна из самых полезных и наиболее употребительных команд. Позволяет ограничить поиск поддоменами указанного домена. Звучит запутанно, но на практике все гораздо проще. Предположим, нас интересуют статьи, которые публиковала gazeta.ru о выборах на Украине. В строке запроса пишем: Выборы на Украине site:gazeta.ru. Можно не ограничиваться конкретным сайтом, а задать, к примеру, область. Выглядеть это будет следующим образом: Программирование site:narod.ru. Тогда Google будет осуществлять поиск во всех поддоменах narod.ru.
link:
Возвращает список страниц, которые ссылаются на заданный сайт. Для наглядности, введите link:kv.by и получите список страниц, ссылающихся на сайт “КВ”. Это просто незаменимый инструмент мониторинга для тех, кто занимается “раскруткой” сайтов. Да и простым обладателям домашней странички тоже наверняка будет любопытно.
cache:
Находит копию страницы, проиндексированной Google, даже если эта страница уже недоступна по адресу в интернете или изменила свое содержание. Иными словами - поиск в кэше Google. Пригодится для просмотра страниц, контент которых часто меняется. Выглядит так: cache:www.gazeta.ru.
intitle:
Ограничивает ваш поиск только заголовком страницы. Говоря техническим языком - содержимым тэга <title>.
Для примера демонстрационный запрос intitle:первая полоса (пробелов между командой и параметром быть не должно) приведет к тому, что Google выдаст ссылки на первую полосу русскоязычных интернет-газет.
inurl:
По этой команде поиск будет проводиться только в URL. Обычно эту инструкцию используют не по одиночке, а вместе с другими, когда хотят отыскать страницу поиска или с хелпом. Например, команда inurl:search выведет список страниц, у которых в адресе встречается слово search, как в этих случаях: search.aol.com или home.netscape.com/home/internet-search.html. Нередко эту команду используют хакеры, чтобы находить скрипты проверки пароля, на которые нет ссылок с главной страницы сайта.
intext:
При поиске не учитываются заголовки страниц и ссылки, просматривается только текст тела страницы (который заключен в теге <body>. Это бывает полезно, когда вы разыскиваете некий кусочек текста и вам, по большому счету, безразлично, какой у страницы заголовок и какие ссылки.
inanchor:
Поиск в тексте якоря вы сможете реализовать, пользуясь приведенной командой. Текст якоря - это, по большому счету, описание ссылки. Иллюстрируем на примере HTML-кода <a href=”www.kv.by>Компьютерные Вести</a>, под воздействием команды inanchor: поисковик обработает только текст “Компьютерные Вести”, это и есть текст якоря.
filetype:
Еще одна чрезвычайно полезная команда. Позволяет искать в интернете файлы с заданным расширением. Однако будьте внимательны, параметры команды понимаются Google слишком буквально, и поэтому если вы сначала наберете filetype:htm, а потом filetype:html, то результаты поиска в обоих случаях будут разными. Google поддерживает некоторые наиболее популярные форматы от Microsoft: PPT, XLS и DOC. Кроме того, вы можете искать даже скрипты, созданные для динамического генерирования контента, такие, как ASP, PHP, CGI и так далее. Кстати, возвращаясь к разговору о хакерах, инструкция filetype: тоже используется ими в неблаговидных целях. К примеру, запись authorisation filetypehp может помочь злоумышленнику найти скрипт проверки пароля. И если написавший его программист был не очень грамотным специалистом, то последствия этого будут плачевны.
related:
Эта команда приказывает Google выводить список страниц, связанных со страницей, указанной в параметрах. Хотя слово “связанные” не совсем подходит в данном случае, скорее, лучше употребить “похожие, принадлежащие к одной категории”. Вот смотрите, команда related:google.com возвратит ряд ссылок на другие поисковые машины, такие, как Yahoo, AltaVista… Теперь, наверное, стало понятнее. В принципе, related: удобное средство, если вы хотите узнать, к какой категории относит ваш сайт Google. Или, наоборот, если хотите найти, к примеру, авторитетные информационные сайты. Именно авторитетные, потому что Google при выводе результатов сортирует их в порядке значимости, и если вы введете, например, related:cnn.com, то первые позиции среди результатов будут занимать наиболее весомые издания схожей тематики: The New York Times, Washington Post и т.д.
define:
Используйте оператор define: для быстрого поиска определений. Пример: define:Дагестан (запрос выдаст ссылки на страницы, информирующих вас о республике Дагестан).
movie:
Для поиска названий фильмов удобно использовать оператор movie:. Пример: movie:One Flew Over the Cuckoo’s Nest.
music:
Оператор music: ограничит результаты поиска контентом, который тем или иным образом связан с музыкой. Пример: music:Depeche Mode 101.
Команды-одиночки для Google
Продолжая тематику интернет-поиска посредством Google, следует отметить, что есть команды, которые никогда не желают работать в паре с другими. Одной из таких является link:, если помните, она отображает все страницы, которые ссылаются на указанный в параметрах URL. Казалось, удобным было бы использовать данную команду совместно с site:, чтобы задавать еще и ограничения на домены. Скажем, разве не интересно узнать, из какой доменной зоны на ваш сайт чаще ссылаются - из .ru или из .net. Однако запрос вида link:mysite.com site:ru не произведет на Google должного эффекта, поскольку link: работает только поодиночке. Как быть в такой ситуации? Обходные пути, естественно, найдутся (недаром ведь в разработке Google принимали участие русские). Для интереса можно поэкспериментировать с такой комбинацией команд: inanchor:mysite.com -inurl:mysite.com site:ru. В данном случае логика такова: сначала мы находим сайты, у которых в описании ссылки встречается адрес нашего сайта. Далее исключаем из результата поиска сам mysite.com и его поддомены (если таковые имеются), а затем отбираем только страницы, принадлежащие к доменной зоне .ru. Этот вариант не безупречен, но главное - идея, доработать этот запрос до конкретных нужд вы сможете самостоятельно.
Несколько слов о комбинациях, которые не должны встречаться в ваших поисковых запросах. Не рекомендуется озадачивать Google взаимоисключающими запросами типа: site:linux.by -inurl:by и все в таком духе.
Теперь о разрешенных комбинациях. После ряда испытаний хорошо себя проявили в совместной работе следующие команды: intitle:, site:, inurl:, filetype:. Скажем, нас интересуют архивы электронных книг на английском языке. Составляем такой запрос: books intitle:”index of” inurl:ftp. В результате получим ссылки на весьма приличные ftp-архивы. Что касается запроса, то на человеческий язык перевести его можно так: нас интересуют страницы, где встречается слово book, заголовок страницы должен содержать фразу index of (характерную для списка в ftp-архиве), а также для верности, что мы имеем дело с ftp, URL должен содержать слово ftp. Возможны различные вариации на эту тему.
Это должен знать почти каждый - три запрета Google
Нельзя использовать маски (* и ?) для замены символов.
В поисковых системах, поддерживающих маски, вы можете ввести “мод*” и ожидать, что среди результатов поиска окажутся такие слова, как мода, модель и т.д. В Google так сделать нельзя. Звездочка используется только для замены одного слова, но не символов.
Не поддерживаются запросы, состоящие из более чем 10 слов.
Все, что будет следовать потом, будет игнорироваться поисковиком. Но обойти ограничение все-таки можно, если заменить наименее важные слова в запросе на символ “*”. В этом случае они учитываться не будут.
Не учитывается регистр, которым вы пишете запрос.
Для Google не имеет значения, в каком регистре вы будете набирать запрос - в ВЕРХНЕМ или нижнем. Результат будет одним и тем же.
четверг, 17 января 2013 г.
Как быстро проснуться?
Скушайте дольку лимона для моментального бодрения) И сразу же проснётесь)
1. Шоколад. Почему? Ну кроме того, что он вкусный, он содержит довольном много сахара и является толчком для выработки эндорфинов – этого вполне достаточно для того, чтоб получить заряд энергии на пару часов, если не дольше. Думаю, что все помнят правило «Перед экзаменом лучше съесть шоколадку или выпить крепкий и сладкий чай»?
2. Холодная вода. Обезвоживание является одной из причин усталости. Пейте побольше воды, особенно по утрам, и будет вам радость. По крайней мере физически вы будете чувствовать себя намного лучше. Особенно, если будете пить по утрам только встав с кровати хотя бы стакан воды.
3. Ягоды. Любая ягода – это хорошо и полезно. А еще лучше, если это будет малина, черника и клубника. Эти ягоды полны натуральных стимуляторов!
4. Апельсиновый сок. Цитрусовые – находка для вечно спящих! Сам сок полон витамина С, который наполняет организм энергией, а запах апельсина, лайма и лимона стимулирует мозговую деятельность. Особенно это актуально зимой, простуда так и витает в воздухе. Лимон и лайм тоже подойдут, но их сок лучше употреблять с большим количеством сахара и слегка разбавлять водой. Проверено на собственном опыте.
5. Что-нибудь холодное. Про холодную воду я уже написал, но тут подходит любой холодный напиток – газировка, сок и т.д. Холод – это шок для всего организма, который получает встряску и начинает работать на полной мощности.
6. Мясо. Протеины, которые содержаться в мясе, медленно перерабатываются, соответственно, энергия выделяется медленнее, но ее и хватает на более долгое время. Конечно, вместо кофе нельзя съесть кусок мяса и сразу же проснуться, но зато запас энергии будет пополнен. Это же относиться и к рыбе. Если впереди трудный день лучше съесть кусок курицы или рыбу, чем вермишель или хлеб.
7. Орехи. Они также весьма питательны и помогут вам подзарядить батарейки. Только увлекаться ими тоже не стоит, особенно на ночь, потому как остатки непереработанной энергии откладываются, увы, не в мозгу, а в других частях тела. Проблемных.
8. Зеленый чай. Ну тут и так все понятно, потому как в любом чае содержится кофеин. А зеленый чай еще и самый полезный. Если вы выпьете чашку чая, буду бодры гораздо дольше, чем после чашки кофе. Только если после кофе вы практически сразу же чувствуете себя бодрячком, то действие чая наступает не так быстро.
9. Яблоки. Яблоки содержат в себе бор, который повышает бдительность организма. То есть внимание к деталям повышается и вы не пропустите очередной «-» в уравнении. Плюс к этому в яблоках много других полезных веществ, так что жуйте на здоровье (для зубов тоже полезно).
10. Овсянка. Она полна сложных углеводов и клетчатки. А если вы добавите что-нибудь сладенькое к ней, то получите замечательный энергетический завтрак.
11. Бананы. В бананах много сахара, натурального сахара, который усваивается организмом гораздо лучше.
12. Йогурт. Тут все дело в магнии – прекрасный источник долгоиграющей энергии. Только помните, что в йогуртах с наполнителями гораздо больше сахара, чем кажется.
13. Яйца. Яйца вообще можно отнести к супер-еде. В них полно протеинов, витаминов и минералов (лейцин в их числе), которые необходимы организму для полноценной работы и восстановлению после физических упражнений. К тому же, вы будете уставать не так быстро.
1. Шоколад. Почему? Ну кроме того, что он вкусный, он содержит довольном много сахара и является толчком для выработки эндорфинов – этого вполне достаточно для того, чтоб получить заряд энергии на пару часов, если не дольше. Думаю, что все помнят правило «Перед экзаменом лучше съесть шоколадку или выпить крепкий и сладкий чай»?
2. Холодная вода. Обезвоживание является одной из причин усталости. Пейте побольше воды, особенно по утрам, и будет вам радость. По крайней мере физически вы будете чувствовать себя намного лучше. Особенно, если будете пить по утрам только встав с кровати хотя бы стакан воды.
3. Ягоды. Любая ягода – это хорошо и полезно. А еще лучше, если это будет малина, черника и клубника. Эти ягоды полны натуральных стимуляторов!
4. Апельсиновый сок. Цитрусовые – находка для вечно спящих! Сам сок полон витамина С, который наполняет организм энергией, а запах апельсина, лайма и лимона стимулирует мозговую деятельность. Особенно это актуально зимой, простуда так и витает в воздухе. Лимон и лайм тоже подойдут, но их сок лучше употреблять с большим количеством сахара и слегка разбавлять водой. Проверено на собственном опыте.
5. Что-нибудь холодное. Про холодную воду я уже написал, но тут подходит любой холодный напиток – газировка, сок и т.д. Холод – это шок для всего организма, который получает встряску и начинает работать на полной мощности.
6. Мясо. Протеины, которые содержаться в мясе, медленно перерабатываются, соответственно, энергия выделяется медленнее, но ее и хватает на более долгое время. Конечно, вместо кофе нельзя съесть кусок мяса и сразу же проснуться, но зато запас энергии будет пополнен. Это же относиться и к рыбе. Если впереди трудный день лучше съесть кусок курицы или рыбу, чем вермишель или хлеб.
7. Орехи. Они также весьма питательны и помогут вам подзарядить батарейки. Только увлекаться ими тоже не стоит, особенно на ночь, потому как остатки непереработанной энергии откладываются, увы, не в мозгу, а в других частях тела. Проблемных.
8. Зеленый чай. Ну тут и так все понятно, потому как в любом чае содержится кофеин. А зеленый чай еще и самый полезный. Если вы выпьете чашку чая, буду бодры гораздо дольше, чем после чашки кофе. Только если после кофе вы практически сразу же чувствуете себя бодрячком, то действие чая наступает не так быстро.
9. Яблоки. Яблоки содержат в себе бор, который повышает бдительность организма. То есть внимание к деталям повышается и вы не пропустите очередной «-» в уравнении. Плюс к этому в яблоках много других полезных веществ, так что жуйте на здоровье (для зубов тоже полезно).
10. Овсянка. Она полна сложных углеводов и клетчатки. А если вы добавите что-нибудь сладенькое к ней, то получите замечательный энергетический завтрак.
11. Бананы. В бананах много сахара, натурального сахара, который усваивается организмом гораздо лучше.
12. Йогурт. Тут все дело в магнии – прекрасный источник долгоиграющей энергии. Только помните, что в йогуртах с наполнителями гораздо больше сахара, чем кажется.
13. Яйца. Яйца вообще можно отнести к супер-еде. В них полно протеинов, витаминов и минералов (лейцин в их числе), которые необходимы организму для полноценной работы и восстановлению после физических упражнений. К тому же, вы будете уставать не так быстро.
Как проверить полевой транзистор?
http://www.rom.by/book/Kak_proverit_polevoj_tranzistor
MOSFET - это Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor. Для
диагностики полевых транзисторов N-канального вида ставим мультиметр на
проверку диодов (обычно он пищит на этом положении), черный щуп слева на
подложку (D - сток), красный на дальний от себя вывод справа (S -
исток), мультиметр показывает падение напряжения на внутреннем диоде -
502 мВ, транзистор закрыт. Далее, не снимая черного щупа, касаемся
красным щупом ближнего вывода (G - затвор) и опять возвращаем его на
дальний (S - исток), тестер показывает 0 мВ (на некоторых цифровых
мультиметрах будет показываться не 0, а 150...170 мВ): полевой
транзистор открылся прикосновением.
Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G - затвор) ножки, не отпуская красного щупа, и вернуть его на подложку (D - сток), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500 мВ. Это верно для большинства N-канальных полевиков применяемых на материнских платах и видеокартах.
Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.
http://www.hserv.ru/test/fieldistor.php
Теперь можно потренироваться в определении цоколевки мощного
транзистора. Перед нами транзистор IRF5210 и его цоколевка мне
неизвестна.
1. Начну с поиска диода. Попробую все варианты подключения к
мультиметру. После каждого измерения корочу ножки транзистора фольгой
чтобы обеспечить разряд емкостей транзистора. Возможные варианты
показаны в таблице:
Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.
2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.
2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем "–" щуп мультиметра к выводу 2, "+" к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа "–" от вывода 2 щупом "+" касаемся вывода 1, затем "+" опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.
2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем "+" щуп мультиметра к выводу 3, "–" к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа "+" от вывода 3 щупом "–" касаемся вывода 1, затем "–" опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.
Проверка полевых транзисторов
 |
 |
| MOSFET: N-канальный полевой транзистор | Обозначение выводов: S - исток, D - сток, G - затвор |
Если сейчас черным щупом коснуться нижней (G - затвор) ножки, не отпуская красного щупа, и вернуть его на подложку (D - сток), то полевой транзистор закроется и мультиметр снова будет показывать падение напряжения около 500 мВ. Это верно для большинства N-канальных полевиков применяемых на материнских платах и видеокартах.
Транзистор выполнил всё, что от него требовалось. Диагноз - исправен. Для проверки P-канальных полевых транзисторов нужно поменять полярность напряжений открытия-закрытия. Для этого просто меняем щупы мультиметра местами.
http://www.hserv.ru/test/fieldistor.php
Определение цоколёвки полевого транзистора
 |
Т.е. диод находится между выводами 2 и 3, соответственно затвор (G) находится на выводе 1.
2. Осталось определить, где находятся сток (D) и исток (S) и полярность (n-канал или p-канал) полевого транзистора.
2.1. Если это n-канальный транзистор, то сток (D) – 3 вывод, исток (S) – 2 вывод. Проверяем. Прикладываем "–" щуп мультиметра к выводу 2, "+" к выводу 3 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа "–" от вывода 2 щупом "+" касаемся вывода 1, затем "+" опять прикладываем к выводу 3. Канал не открылся – значит, наше предположение о том, что IRF5210 n-канальный транзистор оказалось неверным.
2.2. Если это p-канальный транзистор, то сток (D) – 2 вывод, исток (S) – 3. Проверяем. Прикладываем "+" щуп мультиметра к выводу 3, "–" к выводу 2 – канал закрыт, так и должно быть – мы же его еще не пытались открыть. Теперь не отнимая щупа "+" от вывода 3 щупом "–" касаемся вывода 1, затем "–" опять прикладываем к выводу 2. Канал открылся – значит, что IRF5210 p-канальный транзистор, вывод 1 – затвор, вывод 2 – сток, вывод 3 – исток.
воскресенье, 13 января 2013 г.
Логический анализатор
http://easystm32.ru/tools
http://kazus.ru/forums/showthread.php?t=13724
http://rc5.ru/forum/viewtopic.php?t=12171
http://easyelectronics.ru/logicheskij-analizator-logic-u-plus.html
http://www.usbee.com/axscope.html
http://kazus.ru/forums/showthread.php?t=13724
http://rc5.ru/forum/viewtopic.php?t=12171
http://easyelectronics.ru/logicheskij-analizator-logic-u-plus.html
http://www.usbee.com/axscope.html
суббота, 12 января 2013 г.
Паяльник Dealextreme.com
http://dx.com/p/lodestar-l407022-constant-heater-soldering-iron-yellow-black-silver-148541
http://dx.com/p/30w-electronics-diy-soldering-iron-110v-ac-22264
http://dx.com/p/temperature-tolerant-solder-tip-cleaning-pads-10-pack-4683?rt=1&p=2&m=2&r=3&k=1&t=1&s=9163&u=4683
http://dx.com/p/30w-electronics-diy-soldering-iron-110v-ac-22264
http://dx.com/p/temperature-tolerant-solder-tip-cleaning-pads-10-pack-4683?rt=1&p=2&m=2&r=3&k=1&t=1&s=9163&u=4683
Полезное.
Разбор полетов.
Тот, кто думает, что проект провалился, очевидно не понял статью. Самое важное, что я приобрел — это опыт. Опыт, который приходит лишь на практике, и никогда не явится в теории. Да и, выводы будут полезны скорее всего более молодому поколению, но даже те, кто «постарше», могут использовать данный опыт для воспитания своих детей.
Выводы:
- В первую очередь, даже после самых бесполезных занятий, сделайте выводы! Когда я играл в онлайн игры, я любил торговать. Все люди часами сидели и били редкие вещи из монстров, в то время, как я скупал эти же вещи у игроков по-дешевке и продавал по нормальной цене. Именно в онлайн играх я ощутил, что означает конкуренция, когда ты хочешь по-быстрому и максимально выгодно продать товар, когда каждые 5 минут тебе сбивают цену.
- Будьте коммуникабельными, больше общайтесь с людьми, не бойтесь
строить новые отношения. Поддерживайте полезные связи и откидывайте те,
которые съедают ваше время. Не будь я
удачливымобщительным человеком, наверное не договорился бы преподавать в школе в 17 лет. Наверное меня бы не пригласили работать в две компании программистом. Но это отдельные истории, о которых я не собираюсь рассказывать на хабре =). - Умейте пользоваться гуглом, умейте правильно искать. Например я никак не доходил до некоторых тонкостей в i-OS программировании, пока случайно не наткнулся на лекции по Objective-C на ютубе.
- Когда вы чем-то «загорелись», постарайтесь отстраниться от всех мыслей, грез и объективно оценить ситуацию. Аккуратно проанализируйте рынок. Ответьте на вопросы: принесет ли это пользу людям, кто будет покупателем, какая конкуренция и т.д.
- Не связывайтесь с почтой РФ =)
- Обходите посредников, постарайтесь не попадаться на удочки мошенников.
- Верно расставляйте приоритеты. Когда вы учитесь, вы копите заряд для своей ядерной боеголовки, чем больше накопите, тем сильнее в последствии выстрелите.
- Пока вы молоды, в первую очередь берите знания, потом опыт, а лишь потом деньги. Ведь это прекрасная пора, когда тебя обеспечивают родители :).
- Не слушайте тех, кто говорит, что вы убиваете свое детство, тратя время на обучение, или проекты.
- Не бойтесь проигрывать, не бойтесь показаться смешным, делитесь своим опытом с другими людьми, и мир станет лучше!
P.S Да и, у меня пока что сессия, так что могу долго не отвечать на вопросы.
Для тех, кто все же не научился за свою бренную жизнь улавливать смысл текста, скажу, что я совершенно НЕ горжусь тем, что я делал. Я говорю, что так делать НЕ нужно, но если вы все-таки пошли по этой тропе, то не корите себя, а старайтесь извлекать опыт. Да и, еще одним утверждением было то, что заниматься даже такой ничтожной предпринимательской деятельностью куда лучше, чем играть в компьютерные игры, или мотаться по клубам.
Покупка на ибэй
http://habrahabr.ru/post/84185/ - Через посредника.(через америку).
http://habrahabr.ru/post/138876/ - Как проверить продавца.
http://www.ebay.com/sch/Cell-Phones-Smartphones-/9355/i.html?LH_BIN=1&LH_ItemCondition=4&_nkw=iphone+4&_pgn=7&_skc=300&rt=nc
http://habrahabr.ru/post/139118/
http://habrahabr.ru/post/138876/ - Как проверить продавца.
http://www.ebay.com/sch/Cell-Phones-Smartphones-/9355/i.html?LH_BIN=1&LH_ItemCondition=4&_nkw=iphone+4&_pgn=7&_skc=300&rt=nc
http://habrahabr.ru/post/139118/
пятница, 11 января 2013 г.
ДИСКРЕТИЗАЦИЯ НЕПРЕРЫВНЫХ СИГНАЛОВ ВО ВРЕМЕНИ. ТЕОРЕМА КОТЕЛЬНИКОВА
http://www.unn.ru/books/met_files/diskretiz.pdf
http://neo-chaos.narod.ru/useful/adc/adcs.pdf
http://neo-chaos.narod.ru/useful/adc/adcs.pdf
четверг, 10 января 2013 г.
Вход на сайт Имя пользователя: * Пароль: * Запомнить меня Регистрация Забыли пароль? Яндекс.ДиректВсе объявленияЧипы Чипы – цены, datasheets, новости, обсуждения на форуме. rlocman.ru Все бренды в modnaKasta Стильная мужская и женская одежда с огромными скидками! Доставка. Адрес и телефон modnakasta.ua Копилка Application Notes - Power Management
Как проверить полевой транзистор не выпаивая
http://www.telesputnik.ru/archive/162/article/82.html
http://progcode.narod.ru/stati/p_tranz.html
Конечно, если выпаять полевик для проверки, то тестером можно проверить даже, как он открывается и закрывается.
Но обычно, выпаивать полевик есть смысл только при подозрении на него.
В схеме просто смотрим омметром сопротивление между выводами стока и истока: в правильной полярности для канала сопротивление должно быть как можно больше (с учётом влияния элементов схемы), а в обратной - должно звониться как обыкновенный диод.
Затвор не должен звониться малым сопротивлением (опять же, с учётом схемы).
Если всё так и есть, то в первом приближении можно считать полевик исправным.
Пробой полевика вызванивается элементарно без выпаивания.
Диодам, стабилитронам и маломощным транзисторам в блоках питания можно дать предварительную оценку, не выпаивая, грубо — сравнив по сопротивлениям относительно общего провода с исправным блоком, если таковой имеется. На некоторых моделях ресиверов попадаются транзисторы в пластмассовых корпусах (характерно для мощных и работающих при высоких температурах), у которых начинают болтаться ножки в корпусе. Скорее всего, это происходит от впайки автоматом с большим механическим напряжением в выводах. Резисторы бывают без видимых дефектов, но неисправные. Проверять их проще всего так — выпаять одну ногу и подержать под напряжением минуту, наблюдая, не изменяются ли показания прибора. Пробой диодов Шоттки можно определить сразу (омметром), без выпайки. Если на блоке питания стоит мощный полевой транзистор, проверять его нужно обязательно в рабочем режиме. При необходимости или сильном подозрении на наличие короткозамкнутых витков можно проверить и трансформатор. Керамические конденсаторы, включенные последовательно с резистором на шунтирование вторичных обмоток трансформатора, тоже могут быть пробитыми, иногда даже горят. С неисправностью дросселей (изменение магнитной проницаемости сердечника) связана такая неприятность, как «плавание» — напряжение с изменением нагрузки и с течением времени. Ну, и не забудьте про оптрон. При больших бросках питающей сети чаще всего выходят из строя варисторы на входе блока питания.
Проверка оксидных (или, как их еще называют, электролитических) конденсаторов при ремонте спутниковой аппаратуры является, во многих случаях, первоочередным делом. Вздувшиеся (пухлые, бочкообразные) конденсаторы в блоке питания стали уже привычным явлением при открывании крышки неисправного ресивера. Конденсатор — это накопительный элемент источника питания. Если внешнее напряжение больше, чем в конденсаторе, то он начинает запасать в себе энергию, если внешнее меньше, конденсатор отдает запасенную энергию из себя. Чем больше его емкость, тем лучше демпфирующие или фильтрующие свойства конденсатора. К особенностям оксидных конденсаторов относится то, что в фильтрах выпрямителей их можно применять лишь на частотах до 1000 Гц.
При повышении частоты (выше 50 Гц) их действующая емкость становиться все меньше и меньше по отношению к номиналу. При более высоких частотах допустимая амплитуда переменной составляющей также уменьшается обратно пропорционально частоте.
В настоящее время выросли мощности и частоты, на которых применяются оксидные емкости. Частота современных импульсных преобразователей, а к ним относятся и блоки питания, и ВЧ-блоки, составляет сотни кГц, мощности — десятки Вт. Это приводит к росту токов, протекающих через сами конденсаторы, соответственно, повышаются требования к их параметрам. Превышение допустимой переменной составляющей напряжения может вызвать нарушение теплового равновесия в конденсаторе, приводящее к термическому разрушению диэлектрика. Развитие этого явления обусловлено тем, что активная проводимость диэлектрика возрастет с повышением температуры. Причина появления таковых неисправностей в историческом смысле — это то, что ресиверы от модели к модели стали потреблять все больше и больше мощности, что приводит, в итоге, к большему и большему нагреву внутри корпусов ресиверов вследствие увеличения потребляемой мощности, в первую очередь — процессоров. В частности, именно поэтому в большинстве случаев пухлые оксидные конденсаторы чаще всего обнаруживаются в блоках питания или около процессоров ресиверов.
http://progcode.narod.ru/stati/p_tranz.html
Конечно, если выпаять полевик для проверки, то тестером можно проверить даже, как он открывается и закрывается.
Но обычно, выпаивать полевик есть смысл только при подозрении на него.
В схеме просто смотрим омметром сопротивление между выводами стока и истока: в правильной полярности для канала сопротивление должно быть как можно больше (с учётом влияния элементов схемы), а в обратной - должно звониться как обыкновенный диод.
Затвор не должен звониться малым сопротивлением (опять же, с учётом схемы).
Если всё так и есть, то в первом приближении можно считать полевик исправным.
Пробой полевика вызванивается элементарно без выпаивания.
Диодам, стабилитронам и маломощным транзисторам в блоках питания можно дать предварительную оценку, не выпаивая, грубо — сравнив по сопротивлениям относительно общего провода с исправным блоком, если таковой имеется. На некоторых моделях ресиверов попадаются транзисторы в пластмассовых корпусах (характерно для мощных и работающих при высоких температурах), у которых начинают болтаться ножки в корпусе. Скорее всего, это происходит от впайки автоматом с большим механическим напряжением в выводах. Резисторы бывают без видимых дефектов, но неисправные. Проверять их проще всего так — выпаять одну ногу и подержать под напряжением минуту, наблюдая, не изменяются ли показания прибора. Пробой диодов Шоттки можно определить сразу (омметром), без выпайки. Если на блоке питания стоит мощный полевой транзистор, проверять его нужно обязательно в рабочем режиме. При необходимости или сильном подозрении на наличие короткозамкнутых витков можно проверить и трансформатор. Керамические конденсаторы, включенные последовательно с резистором на шунтирование вторичных обмоток трансформатора, тоже могут быть пробитыми, иногда даже горят. С неисправностью дросселей (изменение магнитной проницаемости сердечника) связана такая неприятность, как «плавание» — напряжение с изменением нагрузки и с течением времени. Ну, и не забудьте про оптрон. При больших бросках питающей сети чаще всего выходят из строя варисторы на входе блока питания.
Проверка оксидных (или, как их еще называют, электролитических) конденсаторов при ремонте спутниковой аппаратуры является, во многих случаях, первоочередным делом. Вздувшиеся (пухлые, бочкообразные) конденсаторы в блоке питания стали уже привычным явлением при открывании крышки неисправного ресивера. Конденсатор — это накопительный элемент источника питания. Если внешнее напряжение больше, чем в конденсаторе, то он начинает запасать в себе энергию, если внешнее меньше, конденсатор отдает запасенную энергию из себя. Чем больше его емкость, тем лучше демпфирующие или фильтрующие свойства конденсатора. К особенностям оксидных конденсаторов относится то, что в фильтрах выпрямителей их можно применять лишь на частотах до 1000 Гц.
При повышении частоты (выше 50 Гц) их действующая емкость становиться все меньше и меньше по отношению к номиналу. При более высоких частотах допустимая амплитуда переменной составляющей также уменьшается обратно пропорционально частоте.
В настоящее время выросли мощности и частоты, на которых применяются оксидные емкости. Частота современных импульсных преобразователей, а к ним относятся и блоки питания, и ВЧ-блоки, составляет сотни кГц, мощности — десятки Вт. Это приводит к росту токов, протекающих через сами конденсаторы, соответственно, повышаются требования к их параметрам. Превышение допустимой переменной составляющей напряжения может вызвать нарушение теплового равновесия в конденсаторе, приводящее к термическому разрушению диэлектрика. Развитие этого явления обусловлено тем, что активная проводимость диэлектрика возрастет с повышением температуры. Причина появления таковых неисправностей в историческом смысле — это то, что ресиверы от модели к модели стали потреблять все больше и больше мощности, что приводит, в итоге, к большему и большему нагреву внутри корпусов ресиверов вследствие увеличения потребляемой мощности, в первую очередь — процессоров. В частности, именно поэтому в большинстве случаев пухлые оксидные конденсаторы чаще всего обнаруживаются в блоках питания или около процессоров ресиверов.
вторник, 8 января 2013 г.
BMS с Flyback'ом (9.1.2013)
http://www.edn.com/contents/images/6648791.pdf - хорошее решение на микросхеме.
Нашёл готовую БМС по ней можно составить что я хочу от своей БМС
http://www.rec-bms.com/UserManual7R.pdf
Измерение напряжения на каждой ячейке отдельно:(measure the voltage of every cell, measurement of individual cell voltages in a series cell stack)
http://www.edn.com/contents/images/6648791.pdf - стр 3/8
http://digitalknowledge.cput.ac.za:8081/jspui/bitstream/123456789/220/1/design%20and%20dev%20of%20a%20battery%20cell%20voltage%20monitoring%20system.pdf
Готовые BMS:
На СТМ32(Фото платы, и какие структурные схемы) http://www.iis.fraunhofer.de/content/dam/iis/de/dokumente/em/Battery_Management_System_BMS-PCB1_Datasheet.pdf
http://www.iis.fraunhofer.de/de/bf/ec/em/downloads.html много документов
http://ru.aliexpress.com/item/LTC6802G-2-LT-SSOP/466552790.html микросхемы
http://ru.aliexpress.com/item/LTC6802G-1-LT-SSOP/430853385.html
Features (Preliminary)
- 12 Li-Ion cells per module
- Possible to use multiple modules in series connection, controlled by a
master module
- Passive cell balancing: 1W power dissipation per cell
- Protection: Over- / undervoltage & overtemperature, open wire
connection fault detection, internal protection diodes
- Voltage measurement : Up to 12 Cells
- Temperature measurement : 12 - 16 ADC – channels (12bit)
- Low power modes
- MCU: 32 Bit, up to 100 MHz
- Dimension: 120x100x18 mm
- Kalman filter for SOC and SOH
- CAN-Bus communication with master module
_____________________________________________________________________________
Multicell Battery monitoring and
balancing with AVR
_____________________________________________________________________________
http://www.dmcinfo.com/Case-Studies/View/ProjectID/200/Battery-Management-System-BMS-Validation-Test-Stand.aspx
Нашёл готовую БМС по ней можно составить что я хочу от своей БМС
http://www.rec-bms.com/UserManual7R.pdf
Измерение напряжения на каждой ячейке отдельно:(measure the voltage of every cell, measurement of individual cell voltages in a series cell stack)
http://www.edn.com/contents/images/6648791.pdf - стр 3/8
http://digitalknowledge.cput.ac.za:8081/jspui/bitstream/123456789/220/1/design%20and%20dev%20of%20a%20battery%20cell%20voltage%20monitoring%20system.pdf
Готовые BMS:
На СТМ32(Фото платы, и какие структурные схемы) http://www.iis.fraunhofer.de/content/dam/iis/de/dokumente/em/Battery_Management_System_BMS-PCB1_Datasheet.pdf
http://www.iis.fraunhofer.de/de/bf/ec/em/downloads.html много документов
http://ru.aliexpress.com/item/LTC6802G-2-LT-SSOP/466552790.html микросхемы
http://ru.aliexpress.com/item/LTC6802G-1-LT-SSOP/430853385.html
Features (Preliminary)
- 12 Li-Ion cells per module
- Possible to use multiple modules in series connection, controlled by a
master module
- Passive cell balancing: 1W power dissipation per cell
- Protection: Over- / undervoltage & overtemperature, open wire
connection fault detection, internal protection diodes
- Voltage measurement : Up to 12 Cells
- Temperature measurement : 12 - 16 ADC – channels (12bit)
- Low power modes
- MCU: 32 Bit, up to 100 MHz
- Dimension: 120x100x18 mm
- Kalman filter for SOC and SOH
- CAN-Bus communication with master module
_____________________________________________________________________________
Multicell Battery monitoring and
balancing with AVR
Multicell Battery monitoring and balancing with AVR - DiVA
https://redmine.fe.up.pt/projects/eautbms/documents
Тема форума обсуждения измерений напряжения на BMS:
LM342 - операционник которым путём вычленений измеряют напряжение до 30В http://electrotransport.ru/ussr/index.php?topic=2897.54
LM 385 - Источник опорного напряжения 1....В(Проект англичан, там и схема есть)
http://www.batteryvehiclesociety.org.uk/forums/viewtopic.php?t=2059&postdays=0&postorder=asc&start=0
_____________________________________________________________________________
http://www.dmcinfo.com/Case-Studies/View/ProjectID/200/Battery-Management-System-BMS-Validation-Test-Stand.aspx
Подписаться на:
Сообщения (Atom)